Развернутая схема промышленного аппарата представлена на рис. 11.14.а, а его конструкция – на рис. 11.14.б.

В корпусе аппарата установлен концентратор 4, выполненный в виде кольцевого сегмента с трубчатой поверхностью нагрева. Он герметично отделен от других узлов аппарата. Это позволяет поддерживать в нем давление, независимое от давления в других частях аппарата.

Кристаллогенератор 7 выполнен также в виде кольцевого сегмента с трубчатой поверхностью нагрева. Своей верхней открытой частью он соединен с надутфельным пространством КРК. Молодой утфель из КГ удаляется через сливную трубу 8, положение которой по высоте регулируется штурвалом 6. Для полного опорожнения камеры КГ в нижней части предусмотрена задвижка.

Рис. 11.14. Промышленный образец ВАНД системы КТИПП:

а – развернутая схема аппарата: F₁, F₂, F₃ – поверхности нагрева; g₁, g₂ – потоки зеленой патоки; КЦ – концентратор; КГ – кристаллогенератор; КРК – камера роста кристаллов в секциями I-IV; б – конструкция аппарата: 1 – отверстие в радиальной перегородке; 2 – камера роста кристаллов; 3 – цилиндрическая перегородка; 4 – концентратор; 5 – труба; 6 – штурвал; 7 – кристаллогенератор; 8 – сливная труба; 9 – барботер; 10, 11 – устройство для ввода пара в утфель; 12 – выгоузное устройство; 13, 14 – радиальные перегородки

Камера роста кристаллов КРК выполнена в виде цилиндрической емкости, снабженной трубчатой поверхностью нагрева. При помощи цилиндрической 3 и радиальных 14 перегородок она разделена на четыре секции: I, II, III, IV. Утфель движется поочередно по секциям и из секции IV удаляется выгрузное устройство 12. Технологическая схема вакуум-аппарата включает вакуум-конденсационную установку, сборник исходного продукта, трубопроводы греющего пара и регулирующую аппаратуру.

В установившемся режиме аппарат работает следующим образом (см. рис. 11.14. а). Зеленая патока из сборника двумя потоками g₁ и g₂ поступает в КЦ и КРК. В КЦ благодаря повышенному давлению патока сгущается при температуре, превышающей температуру кристаллообразования на 10…15°С, и по трубе поступает в КГ. В камере КГ патока вскипает и вследствие удаления части растворителя и снижения температуры коэффициент пересыщения ее резко возрастает. Благодаря циркуляции в камере происходит интенсивное кристаллообразование. Заданное содержание кристаллов в КГ регулируется величиной перегрева патоки в КЦ и вдуванием пара в КГ.     

Молодой утфель, полученный в КГ, непрерывно поступает в I секцию КРК, куда также непрерывно поступает по трубе часть второго потока патоки. Утфель перемещается из секции в секцию, уваривается и через выгрузное устройство непрерывно удаляется из аппарата. Управление работой аппарата осуществляется автоматически.

По данной схеме можно переоборудовать типовые вакуум-аппараты периодического действия в ВАНД II продукта с нижним расположением камер КЦ и КГ.